Видове RAM Памет

Async SRAM

Cтандартна SRAM, използвана от въвеждането на 80386.

Sync SRAM

Cтатична RAM със скорост на шината до 66 MHz. Над 66 MHz тази памет е по бавна от пакетната конвейрна (pipeline) синхронна  RAM.  B днешно време много малко дънни платки поддържат такава памет.

PBSRAM

SRAM  за системи с бързодействие от 75 MHz и по-високо.

Количеството от L2 кеш в системата зависи от количеството на главната памет.

Динамичен RAM

Псевдостатична RAM

в преносимите компютри поддържа вътрешни вериги за опресняване, които осигуряват интеграция на данните през режим на почивка - (sleep modes).

FPMRAM

При DRAM  първоначалния достъп до ред или страница отнема много време, последователният достъп в рамките на една и съща страница е по-бърз. FPMRAMpазделя на страници (от 512В до няколко К) в зависимост от паметта и размера на банките, позволявайки достъп в една и съща страница с нула чакащо състояние. (50nsзапочва с 50ns за първия достъп, след това пада до 40ns за втория). В реални условия това е скорост за достъп от 28,5 MHz.

EDORAM

EDORAM  е едно разширение на FPMRAM, прибавяйки група от тригери на изходите, чиито смисъл е извеждане на данни и запомнянето им в процесора (50ns EDORAMзапочва с 50ns за първия достъп и след това пада до 25ns за втория).     EDORAM е идеална за системи до 50MHz и не може да работи с по-голяма скорост на шината. В реални условия, тази скорост за достъп до  EDORAM е 40 MHz.

При DRAM  първоначалния достъп до ред или страница отнема много време, последователният достъп в рамките на една и съща страница е по-бърз. FPMRAMpазделя на страници (от 512В до няколко К) в зависимост от паметта и размера на банките, позволявайки достъп в една и съща страница с нула чакащо състояние. (50nsзапочва с 50ns за първия достъп, след това пада до 40ns за втория). В реални условия това е скорост за достъп от 28,5 MHz.

Burst EDORAM

Interleaved Memory

Преодолява  закъснението при презареждане чрез организиране на DRAM в банки  като четни и нечетни байтове и осигурявайки достъп до всяка банка в различен цикъл на паметта.

Обслужва се от същия такт като процесора. Някои устройства включват конвейрна архитектура (pipelined  architecture), позволяваща достъп до следващия адрес, преди извеждането на данни от достъпа до предишния адрес да е приключило напълно. Подходящи са за системи до 100 MHz и се поддържат от  Intel VX  чипсетове и от всички  VIA  чипсетове. В реални условия скоростта за достъп до  SDRAM  е  100 MHz. Някои доставчици предлагат  SDRAM Lite, който осигурява SDRAM функционалност на 66/75 MHz.

SDRAM

CDRAM 

Съдържа вътрешни шини и малък обем от  SRAM  кеш (8-16Kb) на схемата, също така добре, както и  DRAM позволява извеждане на големи блокове от паметта от по-бавните DRAM. Текущият размер включва  4Mb-16Mb.

Това е DRAM с двойна скорост на данните от типа SDRAM , която може да прехвърля два бита данни за време за което обикновенната SDRAM прехвърля един бит. Тактовата честота на системната шина трябва да е над 100 Мнz.

DDRRAM

RDRAM

Tази памет използва нестандартна високоскоростна връзка между процесора и паметта, която дава възможност на данните да се прехвърлят в едната и другата посока, към и от процесора със скорости, които са няколко пъти по-високи, отколкото при предишната технология. За връзка с процесора паметта има собствена шина отделна от системната. Шината  Rambus е само 16 бита широка, но предлага скорост на прехвърляне до 1,6 гигабайта в секунда.

Видове видеопамет

VRAM

Позволява едновременен достъп до два източника, съответно процесорът записва символи за изобразяване и видеоконтролерът чете цветовете на екрана. Работи по-добре от  DRAM  с висока разрешаваща способност и с повече цветове.

WRAM

е друг вид VRAM, позволяваща блокове или   “windows“ да бъдат адресирани в по-малки цикли на шината.

Оригиналната видеопамет (паметта на видеокарти) беше предимно DRAM. Когато графиките станаха по-сложни, се изискваше по-добро изпълнение на видеопаметта.

3DRAM

Съдържа една АШ и две L1 и L2 кеш вградени в схемата на паметта. Твърди се, че е девет пъти по-бърза от VRAM.

Video Aperture

Hякои видеокарти SVGA позволяват разполагане на видео памет направо върху разширеното адресно пространство и не използват 128К  видео RAM в първите 1024К. Обхватът използващ това адресно пространство се нарича  video aperture (видео отвор).

За намаляване на системните разходи проектантите и производителите на РС инвестират в разработката на универсална архитектура на паметта  (unified memory architecture -UMA), чрез която сигналите на главната DRAM   се разпределят между системния и графичния контролери.

Памет с виртуален канал

Решава проблема с “латентността” на паметта. Латентността се отнася до времето необходимо за получаване на първия блок данни. Дори най-бързите памети имат нужда от 5 такта на генератора за да получат първия адрес от паметта който им е необходим. За решаване на този проблем фирмата  NEC разработи технология наречена VCM (Virtual Channel Memory–памет с виртуален канал), която теоретично може да се използва в комбинация с всякакъв тип основна памет. В основата си паметта с виртуален канал добавя съответствие на малко количество SRAM към всеки чип с памет. Все едно имате по един малък кеш към всеки чип памет. Чрез използване на технология, която отгатва какво да се зареди в този малък кеш, проблема с латентността може да се сведе почти до нула.

DDRSDRAM

Разработена е с капацитет 64, 128, 512МВ и 1GB. Поддържа трансфер на данни със скорост 64 Мв в секунда. Скорост повече от 5 пъти по-голяма от тази на EDORAM.

Разработена е през 2002 г. от фирмата Samsung. Използва се за производството на DRAM,VRAM и  SRAM чипове. Има по-високи технически характеристики от съвременните DRAM и  SDRAM памети. Удобна е за използване в мултимедийните персонални компютри, които използват интерфейс ACP и процесори с тактова честота от порядъка на 300  MHz и по-висока. Предлагат се в корпуси TSOP и като DIMM модули със 168 пера.  DIMM модулите отговарят на изискванията на стандартите JEDEC и са низходящо съвместими с PC-100SDRAM DIMM.

Капацитет

Първоначално чиповете памет са пакетирани в индивидуални корпуси  като интегрални схеми и често са наричани дискретни чипове. При първите РС, дискретните чипове се поставяха директно в цоклите за памет, като нормално бяха необходими девет чипа за банка.

При 32 битовите и по-големи РС  нуждата от памет нарастна неимоверно много. Дискретните чипове станаха неподходящи за такава памет.

Модули памет

Те съдържат няколко дискретни чипа на малка печатна платка. Чиповете са запоени към модула и са разположени близо един до друг. Един модул памет може да побира цяла банка памет.

При компютри използващи дискретни чипове - те са разположени в правоъгълен масив на дънната платка, няколко реда по 9 чипа - най-често 4 реда  по 9 чипа. При някои РС - 18 колони(или повече) от 4 реда. На някои от редовете има празни цокли за разширение на паметта. Всички чипове (поне от един ред) са еднакви.

Ако компютърът е оборудван с модули памет - виждат се няколко малки платчици, закрепени към системната платка под прав ъгъл (може между разширителните слотове). Модулите са разположени заедно на площ от 4 квадратни инча.

  Смесването на отделни чипове с различни капацитети е рисковано. Ако един чип от една банка има по-малък капацитет, тогава някой адрес няма да има достатъчно битове да пакетира цяла единица памет.

Пакетите от отделните чипове се различават както по капацитет, така и по физическа конфигурация.

Видове чипове памет според корпуса

1.DIP (dual in line pin) - използват двойни линии крачета. Крачетата са от тясната страна на пакета в две успоредни редици, подкривени надолу под прав ъгъл.

2.SIP (single in line pin) - с единична линия крачета само от долната страна.

3.ZIP (zig-zag in line pin) - две редици крачета зигзагообразно наредени. Имат повече крачета отSIP със същите размери.

Най-често използваните отделни чипове памет - еднобитова ширина, динамична  RAM в DIPкорпуси.

Чиповете памет трябва да бъдат правилно подредени в гнездата им.

Видове Модулна Памет

SIMM

Mодулна памет в единична линия крачета. Използва ъглов конектор. Това са малки печатни платки с “крайни конектори”, достъпни с 30, 72 или собствен брой изводи (щифт-pin) с 2, 3, 8, 9 и повече чипа на платка. В случая конекторът е просто изведени под ъгъл писти на схемата на модула. Покрит е със злато за да се осигури по-добър контакт. Поставя се в разширителен цокъл за памет. Позволява лесен монтаж.

DIMM

монтира се от двете страни на модула. Произвеждат се само в корпус SDRAM. При  този тип модулна памет се намаляват още повече физическите размери. Един модул DIMMобикновено е равен на две памети от тип SIMM  и използва 168 щифтов конектор с висока плътност.

SIPP

Иползва конектори крачета в единична линия за запояване на място.

RIMM

представлява чипове, предназначени конкретно за работа на компютърни системи, които използват  Direct RDRAM. Тези модули памет се произвеждат в пакети със 168-щифтови конектори, които са разположени  по различен начин, за да не се объркват двата типа и да не може да се използва един тип памет вместо друг.

SO-DIMM

има различен тип конектор със 72 щифта. Този тип памет е по-компактен, отколкото съответната памет за настолни компютри и е подходящ за компактната среда в корпуса на електронен бележник.

PCMCIA

шина позволява на лаптоп и ноутбук разширение на паметта, използвайки платки за разширение, поставяни в подобни слотове. Използват се три вида платки и цокли.

3D Модули

използва технология за стакероване на паметта, но изисква нестандарртни дънни платки.